仪器主要功效用途及参数 一、、、半导体参数剖析仪 1. 手艺指标系统具备不少于3个高精度源丈量单位（SMU）单位 及1个预留接口; 2. SMU 可举行快速 I-V-T 采样，采样率可达 1.8M，存储量可达≥10 万个点; 3. SMU 的最大电压源≥200 V，最小电压丈量分辨率≤0.2uV，电压丈量精度≤0.016%+30mV; 4. 最大直流功率≥20W，最大脉冲功率≥400W，脉冲模式下的最短脉冲 5. 半导体参数剖析仪主机含嵌入式 PC：：操作系统至少要 Windows 10 或者以上，图形化全套测试软件，至少要有一个接口可以外接显示器；；； 6. 最大直流功率≥20 W，最大脉冲功率≥400 W，脉冲模式下的最短脉冲宽度≤50μs; 二、、、探针平台（包括显微镜） 1. 知足 I-V/C-V，PIV 测试，光电测试等，最大可用于 4 英寸以内样品测试，同轴丝杠传动结构，线性移动；；； 2. 水平旋转：：可360 度旋转；；；可微调 15 度，精度≤ 0.1 度，带角度锁死装置；；； 3. X-Y 移动行程:≥4 英寸*4 英寸；；；X-Y移动精度 ≤10 微米；；； 4. 样品牢靠:真空吸附；；； 5. 背电极测试:样品台电学自力悬空，直径约为4 mm 插孔可接背电极；；； 6. 光学系统: 单筒显微镜 / 体式显微镜 放大倍数≤16X~≥100X；；； 7. 移动行程：：水平偏向绕立柱 360 度旋转，Z 轴 50.8 mm。 三、、、探针座 1. 尺寸: ≤115 mm 长*100 mm 宽*112 mm 高；；； 2. 磁力吸附:带磁力开关；；； 3. X-Y-Z 偏向的移动行程划分为 ≥12 mm；；； 4. 瑞士制造细密牙具 移动精度 ≤0.7 微米。 | 
